工業(yè)背景：

芯片制程微縮技術(shù)一直驅(qū)動著摩爾定律的延續(xù)。從1987年的1um制程到2015年的14nm制程，芯片制程迭代速度一直遵循摩爾定律的規(guī)律，即芯片上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。但2015年以后，芯片制程的發(fā)展速度進入了瓶頸期，7nm、5nm制程的芯片量產(chǎn)進度均落后于預(yù)期。全球領(lǐng)先的晶圓代工廠臺積電3nm制程芯片量產(chǎn)遇阻，2nm制程芯片的量產(chǎn)更是排到了2024年后，芯片制程工藝已接近物理尺寸的極限1nm。

芯片3D封裝，又稱為疊層芯片封裝技術(shù)，是指在不改動封裝體尺寸的前提下，在一個封裝體內(nèi)的垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術(shù)。

我國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，封裝技術(shù)發(fā)展接近國際先進水平。

Particle檢測標準：

我們先從Particle的檢測來聊一聊。半導(dǎo)體潔凈室等級通常按照 來進行區(qū)分。在wafer to wafer level 形式的先進封裝工藝中，由于對整個wafer的共面性要求極高，工作區(qū)域的潔凈度控制甚至要比現(xiàn)在ISO 1級要求更高。ISO 1級要求每立方米不高于10個0.1微米的顆粒，而wafer to wafer level 先進封裝的工作區(qū)域潔凈度要小于5個0.1微米的顆粒，才能保障健康的良率。

那顆粒數(shù)量如何快速計算呢？

顆粒尺寸及數(shù)量分布通常有四種方法：Laser diffraction激光衍射（<0.1um-8750um）, Dynamic Image Analysis 動態(tài)圖像分析（<1um-34000um），Ultrasonic Extinction超聲波消光（<0.1um-3000um），Dynamic Light Scattering 動態(tài)光散射（<0.5nm-10000nm）。

光學(xué)傳感器來檢測空氣中的微小顆粒Particle。當顆粒通過傳感器時，它們散射光線，這些散射的光線被計數(shù)并記錄。通過比較顆粒計數(shù)與預(yù)定的標準，可以確定潔凈度水平。

如果發(fā)現(xiàn)顆粒問題，進行追溯分析以確定顆粒的來源，并采取措施來防止再次發(fā)生。

上海京燦壓縮空氣質(zhì)量檢測經(jīng)驗豐富，除了Particle檢測，0.0001mg/m3的油含量，露點-80℃的檢測，均能檢測，更有多款壓縮空氣檢測儀可供選擇。